【時報-記者柯婉琇綜合外電報導】英特爾與美光科技周二發表名為3D XPoint的新類型記憶體，聲稱這項突破性的技術使3D XPoint非揮發性記憶體的速度比NAND快上1000倍。

　英特爾與美光表示，3D XPoint記憶體兩個儲存層間每個晶片將能儲存128GB的資料，預計今年晚些時候在兩家公司共有的猶他州廠推出晶片樣本，並提供客戶測試。此外，兩家公司亦表示正在開發使用該技術的個別產品。

　英特爾與美光未提供更多的技術細節，包括新款晶片使用的材料與初步的晶片價格。