【財訊快報／編輯部】純電動車(BEV)龍頭Tesla欲大砍碳化矽(SiC)用量75%，替代方案之一的SiC＋絕緣柵雙極電晶體(IGBT)，卻讓全球工、車規IGBT緊缺問題加劇，急綁2024年IGBT用量。

而台灣首批工、車規IGBT晶片暨元件供應商朋程、強茂將在下半年陸續加入供應行列。

其實Tesla當下用的48顆SiC金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)，即是取代舊有84顆IGBT方案。因成本考量Tesla欲大砍SiC用量，最具成本效益解方之一即SiC與IGBT混搭。