【時報-台北電】金氧半場效電晶體（MOSFET）廠富鼎（8261）獲得國創半導體認購私募後，積極朝向電動車領域發展。富鼎已可量產1,200V高壓絕緣閘雙極電晶片（IGBT）模組。

　碳化矽（SiC）應用亦完成600V蕭特基二極體（SBD）、900V及1,200V高壓MOSFET開發及投產，可望在鴻海MIH聯盟的電動車供應鏈搶得先機。

　富鼎上半年受惠於電源供應器需求大增，合併營收22.95億元創歷年新高，歸屬母公司稅後純益5.75億元，較去年同期成長逾1.2倍，每股淨利6.59元優於預期。由於生產鏈進入庫存去化階段，富鼎低壓MOSFET出貨轉弱，7月合併營收月減16.2％達3.34億元，較去年同期減少2.6％，累計前七個月合併營收26.29億元，較去年同期成長9.4％。

　全球通膨導致市場庫存出現激烈修正，富鼎以電源供應器市場為主亦受影響，但衝擊不會像手機等消費性電子劇烈。富鼎前幾個季度營收成長有限，主要是晶圓代工產能不足，隨著下半年產能供給增加，富鼎轉向擴大伺服器及新能源領域出貨，包括富鼎與台達電合作開發再生能源儲能及供電系統MOSFET，短期營運或許有陣痛期，但對富鼎下一階段成長將帶來助益。

　鴻海及國巨二大集團為了衝刺電動車商機，參與合資的國創半導體增資計畫，再透過國創參與富鼎私募，增資完成後國創將持有富鼎30.08％股權，並成為最大法人股東。富鼎過去幾年在車用功率半導體布局有成，但一直沒有找到合適的合作夥伴切入電動車應用，在國創入股後，富鼎可望藉由鴻海及MIH聯盟找到車用功率元件出海口。

　富鼎車用IGBT產品線及技術均已到位，與茂矽合作開發的1,200V高壓IGBT模組，過去因為缺少車用電子及系統廠配合，市場一直無法打開，如今將與鴻海及MIH聯盟配合，雙方產品技術磨合還需要一些時間，但可望找到合適的合作夥伴。

　再者，富鼎SiC產品線主要與漢磊合作，已完成600V蕭特基二極體（SBD）、900V及1,200V高壓MOSFET等產品開發，由於SiC磊晶片成本高，富鼎價格競爭力被弱化，但未來會朝功率模組方向發展，可望打進鴻海及MIH聯盟電動車供應鏈。(新聞來源 : 工商時報一涂志豪／台北報導)