半導體大廠意法半導體（ST）宣布其PowerGaN元件開始進入量產階段，率先推出兩款工業應用650V產品，並將於未來幾個月內，推出符合汽車標準GaN器件，全力搶攻消費、工業及汽車應用商機。

意法表示，已進入量產e-mode PowerGaN HEMT元件可簡化高效能功率轉換系統的設計，STPOWER GaN晶片提高電源供應器、充電器、照明系統、工業電源、可再生能源應用和汽車電氣化等應用的性能。

意法的G-HEMT器件加快功率元件轉換過渡至GaN寬能隙技術，GaN所具備特性，提高效率並增強開關性能，從而更高的開關頻率、更高功率密度，因此，應用裝置可變得更小，性能更高。

該系列的前兩款產品SGT120R65AL和SGT65R65AL為工業級650V常斷 G-HEMT，採用 PowerFLAT 5×6 HV表面貼裝封裝，除可減少電源供應器尺寸和重量之外，該兩款新型GaN晶片還提供更高的效率、更低的工作溫度和更長的使用壽命。接下來幾個月內，將再推出符合汽車標準之PowerGaN差異化器件。