工研院今日宣布成功攜手台積電(2330)，開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體（Spin Orbit Torque MRAM；SOT-MRAM）陣列晶片搭配創新的運算架構，適用於記憶體內運算，且功耗僅為STT-MRAM的百分之一，搶攻高速運算領域商機。

隨著AI人工智慧、5G時代來臨，包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用，更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體為各家大廠研發重點。工研院與晶圓製造龍頭台積電合作，雙方攜手開發出SOT-MRAM陣列晶片搭配創新的運算架構，適用於記憶體內運算，並在全球微電子元件領域頂尖會議之「國際電子元件會議」（International Electron Devices Meeting；IEDM）共同發表論文，展現次世代記憶體技術的研發能量。

工研院電子與光電系統所所長張世杰指出，工研院和台積電繼去年在全球半導體領域頂尖之「超大型積體技術及電路國際會議」（Symposium on VLSI Technology and Circuits）共同發表論文之後，今年更開發出兼具低功耗、10奈秒（nanoseconds；ns）高速工作等優點之SOT-MRAM單元，並結合電路設計完成記憶體內運算技術，進一步提升運算效能，跳脫了MRAM已往以記憶體為主的應用情境，雙方將研發成果共同發表在IEDM 2023。未來此技術可應用於高效能運算（High Performance Computing；HPC）、AI人工智慧及車用晶片等。