生成式AI發展快且猛，需求高速成長下，先是先進封裝CoWoS供不應求，前陣子水冷散熱零件也出現缺貨漲價，而近日，高頻寬記憶體(HBM)再成為市場當紅炸子雞。美光就表示，今年HBM產能已完售，且25年絕大多數產能也已被預定，SK海力士今年乃至於明年的HBM晶片亦呈現熱銷一空的盛況。

AI帶動HBM需求水漲船高，主要因AI晶片需要處理大量且並行的數據，而HBM主要結構是由多層DRAM記憶體小晶片形成的高容量記憶體垂直堆疊，運用垂直堆疊的短距離，確保層與層間的訊號傳輸快速且耗能低，提升運算效能；故與傳統DRAM相比，HBM的高頻寬、低功耗與體積小成為AI應用的首選。

目前，HBM技術由3大記憶體巨頭掌握，其中又以最早投入的SK海力士擁有最高、超過5成的市占率，為HBM領頭羊。然而與此同時，美光雖布局HBM較晚，但其企圖憑藉著HBM3e產品彎道超車，不僅已宣布量產，同時也拿下輝達H200的訂單，可以說已在技術上趕上海力士。

事實上，美光在矽穿孔(TSV)具有堅強實力、擁有全球最先進之技術，由於TSV就類似於散熱孔洞，因此數量越多散熱效果也就越好，而目前美光孔洞間的間距為業界最小，此為開發HBM的一大競爭優勢。另外，美光在DRAM製程上也領先對手，預計於25年量產1γ(1-gamma)。

法人就看好，在美光的TSV及堆疊產能皆著重供應HBM生產下，16Gb DDR5的TSV及堆疊產能將可望釋出予封測業者力成(6239)；不僅如此，力成也強調，公司積極強化製程技術，目前已成為全球專業封測委外服務代工廠(OSAT)當中，少數具備HBM Via middle封裝能力的廠商，並與日本無晶圓廠進行合作，已有2、3個客戶洽談中。

此外，力成全力擴大AI晶片HBM和其他先進封測產能，並大舉提升今年資本支出至新台幣150億元，較原先規劃的100億元成長5成，增幅不僅為本土封測廠之冠，更較去年大增逾1倍。

展望未來營運，力成看好，隨半導體庫存回到健康水位，今年營運可望恢復成長，而首季將是全年低點，下半年則可見到較明顯的成長動能。力成發展邏輯晶片封測與先進封裝技術已數十年，如今隨著HBM需求水漲船高，力成營運也可望走出新格局。

中砂(1560)為美光在台的重要夥伴之一，法人指出，隨美光在HBM市場急起直追、產能提升，將帶動中砂測試晶圓之比重，改善其晶圓事業部產品組合，同步挹注營運表現。公司近年積極朝高附加價值產品發展，高階鑽石碟獲得大客戶認可，目前占營收比重達30至35%，其中5奈米製程以下占該業務營收比重達約50%，並持續配合客戶將技術及產品往下一世代推進。

內資法人就看好，中砂24、25年營收成長動能主要來自於台系晶圓代工廠3奈米需求強勁，且2奈米將於25年下半年進入量產階段，因此預期25年上半年開始將看到2奈米鑽石碟的營收貢獻。此外，鑒於鑽石碟壽命減少、CMP層數提升、中砂鑽石碟市占率提升及部分鑽石碟價格提升等因素，預期在相同晶圓出貨量的假設下，2奈米鑽石碟營收貢獻將較3奈米成長約20%。

而外資表示，中砂透過技術、矽智財(IP)優勢，加上服務極具競爭力，在先進製程持續升級，並不斷在新舊客戶中提升市占，有利鑽石碟業務的混合單位售價與毛利率。另，再生晶圓製程能力則升級到17奈米，且客戶群多元廣泛，涵蓋晶圓代工廠、美日記憶體廠、美系IDM廠。整體來看，中砂今年起重拾獲利強勁成長，法人圈普遍預估今年EPS將突破8元，而美系外資近期報告也樂觀預估公司明、後兩年的EPS分別為11.56元與16元。

此外，為拉近與台積電(2330)的差距，英特爾正積極衝刺先進製程晶圓代工市場，預計下半年量產最新20A製程，明年進一步導入更先進的18A製程，在此之下，英特爾也擴大與台灣半導體設備、材料業者合作。而中砂也已卡位英特爾先進製程供應鏈，預期最快25年初可看到營收貢獻。