當三星、SK海力士與美光優先將新增投資、部分晶圓產能及工程資源配置至HBM與高容量伺服器記憶體之際，一般型DRAM的供給成長受到排擠，全球DRAM市場維持供給偏緊。中國最大DRAM業者長鑫科技，也適逢這波由AI需求帶動的記憶體景氣循環完成資本市場掛牌。長鑫於26年7月27日登錄上海證券交易所科創板，每股發行價為8.66人民幣，首次公開發行基礎募資約579.2億人民幣，依發行時匯率換算約86億美元。這不僅是26年截至掛牌當時亞洲規模最大的IPO，也超越中芯國際先前約532億元的募資紀錄，成為科創板開板以來募資規模最高的IPO案。

此次IPO是讓中國DRAM產業的資金來源，由過去較仰賴地方政府、政策性基金及銀行授信，進一步延伸至公開資本市場。依據招股書原始規劃，長鑫3項主要募投計畫合計約295億人民幣，其中75億人民幣投入記憶體晶圓製造量產線升級、130億人民幣用於DRAM技術升級，另有90億人民幣布局次世代DRAM前瞻技術研發。由於實際基礎募資額達579.2億人民幣，明顯高於原訂募投計畫所需的295億人民幣。另一方面，隨三星、SK海力士與美光提高HBM、高容量DDR5及AI伺服器記憶體的資源配置比重，更多先進製程、研發人力與後段封裝能力流向高附加價值產品，使PC、智慧手機、工控及1般伺服器所使用的標準型DRAM供給成長相對放慢。長鑫則以中國龐大的PC、智慧手機、雲端運算與AI資料中心需求作��產能擴張的重要支撐，希望透過本土客戶導入提高設備利用率、累積量產經驗並改善製程良率。從營運表現觀察，長鑫26年第1季營收約508億人民幣，年增719.13%；歸屬母公司淨利約247.62億人民幣，較上年同期由虧轉盈。這反映全球DRAM價格上升、供給偏緊及中國國產替代需求，已明顯改善公司獲利與現金創造能力。

研究機構Semi Analysis推估，長鑫26年可能新增約8.5萬片12吋晶圓月投片能力，使年底DRAM總月投片規模提高至約35萬片，逐步接近美光的晶圓投片規模。但受到先進半導體設備出口管制影響，長鑫目前難以取得EUV微影設備，較先進的DRAM製程仍須較大程度依靠DUV多重圖案化，將無法由單次曝光完成的密集線路，拆分為多次曝光、薄膜沉積、蝕刻與量測步驟。每增加1組圖案化循環，都可能拉長生產週期，提高光罩、材料、設備折舊與量測成本，並累積套刻偏差及缺陷風險。若良率與晶粒密度無法同步改善，新增投片量可能先轉化為更高的製造成本。

對南亞科而言，與長鑫科技競爭的產品主要落在DDR4、DDR5及部分低功耗DRAM市場。長鑫目前產品已涵蓋DDR4、DDR5、LPDDR5及LPDDR5X，南亞科(2408)則持續供應DDR4、DDR5與LPDDR4，因此雙方在PC、消費性電子、行動裝置及部分伺服器應用上存在產品與客戶重疊。南亞科26年第2季營收達825.49億，季增68.2%，DRAM平均售價季增超過70%，帶動毛利率提高至67.9%。公司目前DDR5營收占比約10%，並表示可依市場需求彈性提高比重；客製化AI UWIO記憶體也已開始貢獻營收。

在產能與技術布局方面，南亞科規劃27年第1季開始進行新廠設備裝機，第3代與第4代十奈米級製程，也就是1C與1D，以及EUV技術開發則同步按計畫推進。兩者雖然彼此相關，新廠裝機代表廠房與設備逐步進入建置階段，1C、1D及EUV則涉及製程開發、試產、良率提升與量產導入。DRAM製程由1A、1B逐步推進至1C與1D後，若晶粒面積能夠縮小，理論上每片晶圓可以切割出更多晶粒，並提高有效位元產出，進而攤低每Gb的製造成本，不過仍必須建立在良率同步提升的前提下。若新製程缺陷率偏高，新增晶粒無法通過測試，晶粒縮小所帶來的位元密度優勢將消失殆盡。因此，南亞科新廠開始裝機後，市場聚焦的是設備進駐與試產時程、1C及1D製程良率、每片晶圓有效位元產出、DDR5營收占比，以及伺服器與AI客戶認證進度。唯有把缺貨與價格上升所帶來的現金流，轉化成成熟製程、更小晶粒、更高良率及較完整的高附加價值產品線，南亞科才能在長鑫產能與產品持續擴張之際，維持成本與客戶結構上的競爭空間。同時，南亞科也必須深化全球客戶的供應鏈信任、產品認證與長期供貨能力，將地緣政治與供應鏈分散需求轉化為實際訂單及更高的客戶黏著度。未來若長鑫能將更大規模的晶圓投片能力，順利轉化為穩定良率、成熟產品及具競爭力的單位位元成本，南亞科在標準型DRAM市場的市占、議價能力與缺貨紅利都可能逐步受到壓縮。真正決定南亞科競爭力的是能否加快完成製程微縮、產品升級與客戶結構分散，把景氣循環帶來的獲利轉化為長期競爭優勢。

華邦電(2344)橫跨記憶體與邏輯產品，其營收來源包括：客製化記憶體、快閃記憶體及邏輯產品；產品則涵蓋利基型DRAM、行動記憶體、NOR Flash，以及新唐提供的邏輯IC，終端應用遍及消費性電子、車用、工控、通訊與電腦市場。華邦電26年第2季營收為598.45億，季增56.44%。其中，客製化記憶體占營收47%，受產品組合改善與市場需求帶動，營收季增超過90%；快閃記憶體占32%，高容量產品出貨比重持續提升，邏輯產品占21%。終端應用中，消費性電子與車用、工業應用各占30%，通訊占27%，電腦相關占13%。進入第2季後，公司營運規模持續擴大，6月合併營收達205.97億元，月增2.98%、年增189.88%；上半年累計營收980.96億元，年增139.2%。華邦電的競爭優勢並不只是價格，而是建立在長生命周期產品與客戶認證門檻上。記憶體一旦導入車載控制系統、工業設備或網通平台，客戶若更換供應商，往往必須重新完成硬體相容性、韌體驗證及可靠度測試，因此轉換成本遠高於一般消費性標準品。少量多樣、認證週期長及長期供貨需求，也成為華邦電降低標準型記憶體價格競爭的重要護城河。

旺宏(2337)則以NOR Flash、NAND Flash與ROM為核心產品，應用橫跨消費電子、通訊、運算、車用、工業及網通市場。26年第2季營收為191.25億，季增83%，年增181%；其中4月營收59.13億元，年增153.7%，5月營收62.56億元，年增175.8%。6月營收進一步提高至69.56億元，月增11.2%、年增216.09%，使上半年累計營收達295.93億元，年增128.76%。隨著車用、工控、網通及消費性電子客戶持續要求長期供貨與高可靠度，華邦電與旺宏得以透過產品差異化與客戶認證優勢，降低與標準型記憶體廠的價格競爭，逐步建立的長期競爭力。