近期受到資本市場擠AI泡沫的影響，全球主要記憶體股的股價全都大跌，就在這時候由中國國家及資本灌注的記憶體廠商長鑫存儲，在7月底IPO，並在資本市場籌措到108.02億人民幣的資金，於上海科創板掛牌上市。當前全球記憶體價格來自AI的需求強勁，國際3大廠的三星電子、SK海力士和美光科技都把產能挪到HBM，使DDR4出現供需缺口。隨著長鑫存儲在中國傾力挹注資源、努力成為一方之霸時，未來是否會扮演記憶體價格的殺手搶奪市占率就值得關注。

從全球DRAM市場的市占率來看，長鑫存儲目前市占率約8%，是全球第4大DRAM製造商。雖然距離國際前3大記憶製造商的是占率都還有一段落差，卻有可能在DRAM市場扮演價格的殺手。有鑑於AI對記憶體需求量很大、加上價格比標準型DRAM高很多，AI用的HBM和DDR5成為三星電子、海力士和美光科技增加生產線的標的產品，他們把原來標準型記憶體的產線拉去做HBM和DDR5。以至於標準型DDR4出現供需短缺，造成過去一年以來DDR4價格大漲。

其實，DDR4雖然沒有辦法用在與AI GPU處理器的連結上，卻在AI基礎架構上有一定的角色。在AI基礎設施上，DDR4可以用在網通傳輸部分的記憶體，還有未來需求將會越來越大的邊緣AI，這部分的記憶體用DDR4即可。DDR4用量在未來AI時代可能還會不小，促使美光科技在5月下旬宣布重啟部分DDR4和LPDDR4的生產計劃。隨著國際3大記憶體廠在DDR4量產規模減少下，長鑫存儲、南亞科和華邦電就成為這個市場的主導者。

不過，美��科技這項決策有很明確市場區隔，不是美光科技要回頭搶消費性PC或伺服器的DDR4市場，而是鎖定在產品生命周期較長、需要穩定供貨保證的客戶群，包括車用電子、國防與航太設備、工業控制系統、網通設備以及醫療設備等的客戶。在AI浪潮推動下，美光曾經在去年針對主流消費等級與資料中心的DDR4宣布過停產。但這樣的產能轉移，造成汽車、國防和工業等極度依賴長生命周期記憶體的產業面臨供應緊缺的風險。美光在美國本土重啟這條產線，以滿足客戶的需求。美光有明確的標的客戶，暫時不會造成市場供需失衡。

但長鑫存儲可能就不同，從附圖(5大DRAM廠產品線對決)來看，長鑫存儲在DDR4(包含LPDDR4X)領域，已成為全球DRAM市場具影響力的主導者，也有能力主導價格。在伺服器DDR4領域，長鑫存儲不論在32GB以下或是32GB以上的容量規格都已量產。不僅如此，該公司在DDR5 64GB以下、64GB和64GB以上也都以量產。代表長鑫存儲在記憶體生產上已趕上國際前3大廠的技術層次。在行動裝置領域，長鑫存儲在LPDDR4X部分也都已經量產，在LPDDR5的16GB(含)以下、16GB以上也都已量產。

長鑫存儲將其合肥與北京晶圓廠快速擴張產能，集中在DDR4與LPDDR4X產品上。挾帶龐大資本支持，若採取市占率優先的策略，這種產能的飽和式輸出就能直接在全球DDR4的價格造成左右市場的能力。在成熟型DRAM市場中，長鑫存儲實質上已掌控DDR4產品線的價格話語權。根據長鑫存儲的產能規劃，在合肥基地中，1期晶圓廠每月產能為12萬片的12吋晶圓，這部分產能處於高速爬坡期；2期專案還在積極擴建中，遠期規劃產能目標為每月20萬片以上。在北京基地方面，正在規劃建造3座12吋晶圓廠，總產能規劃高達每月30萬片。若上述所有規劃產能都順利開出，長鑫存儲的總月產能將能突破50萬片的12吋晶圓，相當於全球DRAM總供給量的20～25%，會打破過去20年間由南韓與美國3大廠寡占的局面，將會是2008年金融海嘯後奇夢達和爾必達破產被併購後的首次。

過去兩年中，成熟型DRAM合約價與現貨價格出現多次逆勢下跌或反彈無力，很多次就是傳出長鑫存儲以低價供給現貨來攪亂市場行情。如同上述，若長鑫存儲的合肥2期基地的產能開出，在宰制成熟型DRAM的合約價將會越來越有能力，甚至會成為市場空頭出來放話的腳本。過去在DRAM市場，三星電子常扮演價格破壞者的角色，三星電子在DRAM市占率高達38.5%，很多都是當年三星電子扮演價格破壞者角色得來的。隨著國際3大廠把有限的晶圓產能轉換到價格高的DDR5、LPDDR5X以及HBM3e和HBM4後，空缺出來的DDR4市場部分都被長鑫存儲給拿去，尤其是在中國市場。

中國是全球最大的消費性電子商品生產國與記憶體消費大國，目前受到美國與西方國家的高科技制裁，先進的半導體設備無法出口到中國。以ASML生產的曝光機為例，高階的極紫外光曝光機(EUV)就被限制無法出口到中國，中國僅能使用生產成熟型產線的DUV機台，中國目前的晶圓和記憶體都只能使用DUV。

這樣的地緣政治壓力下，無形中就把長鑫存儲給扶植起來。在中國智慧型手機和PC領域，華為、小米、Oppo、Vivo以及聯想集團，在主流與中低階機型中大幅提升對長鑫存儲DRAM的採用，中國本土化替代率部分品項以達到5成以上。在伺服器與家電領域，中國本土伺服器廠商的浪潮、紫光數碼以及大型白牌家電業者，在通用型伺服器與智慧家電中，已優先採用長鑫存儲的DDR4/DDR5產品，直接削弱三星電子和美光科在中國市場的市占率。長鑫存儲在記憶體市場的實力，吸引蘋果公司評估採購該公司記憶體的計畫。

長鑫存儲並不會滿足現有在成熟市場的地位，為了要實現中國產能自主化，長鑫存儲持續向高階技術發展。在無法取得EUV情況下，長鑫存儲聯合中國本體半導體設備商的北方華創和中微公司，利用較成熟的曝光設備進行多重曝光方式，強行推進15奈米與12奈米級的製程。這樣的方式雖然增加光罩層數並大幅墊高生產成本以及影響良率，卻能確保DDR5等次世代產品的策略性產出。不僅如此，為了不讓中國在AI算力上被美國和西方國家卡脖子，長鑫存儲近期在合肥基地積極布局HBM的後段封裝與測試產線。嘗試透過矽穿孔(TSV)技術結合1Y/1Znm DRAM顆粒堆疊。受限先進曝光設備與高階封裝材料的短缺，其HBM產品目前仍落後SK海力士與三星電子2至3個世代(約3～5年)，卻宣告長鑫存儲要跨入AI核心記憶體的決心。

資金對長鑫存儲來說不會是問題，這次IPO長鑫存儲已在市場募集到一筆資金，還有中國政府透過國企資源的大量挹注，尤其是長鑫存儲在全球DRAM市場越來越能展露頭角後，已成為中國指標型半導體企業，其位階甚至高於大股東的兆易創新。長鑫存儲IPO首日，股價一度大漲接近5倍，收盤時仍上漲超過4.6倍。幾個交易日下來，長鑫存儲的資本市值已膨脹超過3.61兆人民幣(約5344億美元)，不但超越英特爾資本市值的4550億美元，也是中國A股最大市值企業。未來中國本土資金應該會全力拱長鑫存儲的股價，將會大幅助長鑫存儲在資本市場的實力。

長鑫存儲已被列入美國國防部的中國軍事企業名單，限制該公司與美國國防供應鏈相關企業的商業往來。最近美國國會的美中戰略競爭特別委員會也頻繁向商務部施壓，要求比照長江存儲，也將長鑫存儲納入實體清單。以長鑫存儲在全球記憶體市場的位階，被美國列入黑名單只是時間上的問題，但這只會墊高長鑫存儲在中國的地位，也會墊高該公司在全球記憶體市場的影響能力。