【財訊快報／陳孟朔】三星電子(005930.KS)高層週二表示，隨著人工智慧(AI)需求推動高頻寬記憶體(HBM)擴產，預計明年HBM將占DRAM晶片製造商整體晶圓產能近30%，高於目前約20%。這項預估指向業界整體產能配置；更多晶圓轉作HBM，也可能壓縮一般型DRAM的供給。

三星電子股價週一在首爾收報27萬韓元，下跌1.55萬韓元或5.43%。週二早盤先跌後回升，最新報27.35萬韓元，較週一收盤上漲3,500韓元或1.30%。

HBM由多層DRAM晶片堆疊而成，擴產需要投入晶圓及先進封裝資源。產能向HBM傾斜，可能使一般型DRAM供應維持緊俏。華爾街日報引述KB證券分析師估計，三星自身的DRAM產能中，HBM比重今年約33%，明年可能升至40%。