【時報編譯柳繼剛綜合外電報導】三星電子29日表示，預計明年高頻寬記憶體(HBM)，將占總晶圓產能將近30%，高於目前在20%左右。不過，HBM和標準型DRAM是共享相同的晶圓產能，表示HBM擴張可能會讓DRAM的供給量減少。

　分析師指出，跟標準型DRAM相比，在晶圓上製造HBM需要較大的面積，另外，HBM因比較高階，故生產技術也較為複雜且先進，若業者把重心放在HBM時，標準型DRAM的產線資源就會被壓縮。

　韓媒表示，HBM是AI運算的關鍵零組件，是由垂直堆疊的記憶體晶片所組成，好讓處理器能夠高速存取海量的資料。目前，是由韓國SK海力士和三星電子，以及美國的美光所主導。

　另外，韓國三星集團將投資10億美元在AI基礎設施公司Helix Digital Infrastructure。據悉，三星電子將投資5億美元，其餘由三星物產、三星SDS、三星SDI、三星人壽保險，以及三星火災海上保險共同出資。這項交易可讓三星充分利用子公司在半導體、冷卻系統、資料中心建設，以及電池等各種資源，擴大在全球AI基礎設施的建設影響力。

　2026年6月成立的Helix，主要是支援不斷成長的AI基礎設施，包括超大規模資料中心、發電、輸配電力和光纖網路技術，原始股東包括美國資產管理公司KKR以及NVIDIA等。KKR已在全球數位基礎設施和電力領域投資超過750億美元，自2009年以來，KKR在韓國的投資金額約為90億美元。