【財訊快報／記者張家瑋報導】半導體大廠安森美半導體（onsemi）宣布與格羅方德半導體（GlobalFoundries）簽署合作協議，將採用格羅方德8吋eMode矽基氮化鎵（GaN-on-Si）工藝，開發製造GaN功率產品，首批產品電壓為650V，並將於2026上半年開始提供樣品。安森美表示，此次合作將加速安森美在高性能GaN元件和整合功率級的發展路線圖，並拓展其高壓產品組合，以滿足人工智慧資料中心、電動車、再生能源、工業系統以及航空航太、國防和安全等領域日益增長的電力需求。

安森美企業戰略高級副總裁Dinesh Ramanathan表示，此次合作將安森美在系統和產品方面的專業知識與格羅方德的GaN製程相結合，為高成長市場提供全新的650V功率裝置。GaN產品與安森美的矽驅動器和控制器配合使用，將助力客戶創新並構建更小巧、更有效率的電源系統，應用於人工智慧資料中心、電動車、航太應用等領域。

格羅方德首席商務官Mike Hogan指出，透過8吋 GaN-on-Si 平台和美國本土製造能力，與安森美的系統和產品專業知識相結合，我們正在加速高效解決方案的開發，並為數據中心、汽車、工業、航空航天和國防以及其他關鍵市場構建穩健的供應鏈。

未來安森美將結合其矽驅動器、控制器和散熱增強封裝技術，及格羅方德的650V GaN技術平台，打造具有更高功率密度和效率的優化型GaN裝置，使其產品線涵蓋從低壓、中壓和高壓橫向GaN到超高壓垂直GaN的全系列技術。可應用裝置包括：AI資料中心的電源和DC-DC轉換器、用於電動車的車載充電器和DC-DC轉換器、太陽能微型逆變器和儲能係統、馬達驅動器和DC-DC轉換器，以及用於工業、航空航太、國防和安全領域的各種應用。