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《半導體》AI排擠效應助攻記憶體報價 南亞科12日法說受矚

時報新聞   2026/10/01 11:00

【時報記者葉時安台北報導】國際記憶體大廠美光(Micron)最新公布財報與展望雙雙超越市場高標,不僅資料中心營收翻倍躍進,更直指在AI伺服器強勁推升下,高頻寬記憶體(HBM)與高階DRAM產能持續吃緊,排擠效應一路蔓延至常規記憶體市場。展望第四季,根據TrendForce最新記憶體產業研究,conventional DRAM(一般型DRAM)合約價將季增10-15%;NAND Flash市場呈現AI加速、消費性需求低但仍連帶漲價的雙軌發展,預計整體合約價格將季增15-20%。台廠後續展望,南亞科(2408)將於10月12日召開法說會,市場洞察產業後續動能。第四季首日,DRAM雙雄南亞科、華邦電(2344)周四股價震盪翻紅。

 回顧第三季,受惠結構性缺貨題材與報價回升,記憶體價格持續推升營運表現,不過台系記憶體族群第三季股價表現漲跌不一,由IC設計廠晶豪科(3006)以單季26.5%漲幅領軍衝鋒,DRAM製造大廠南亞科亦繳出14.7%的穩健漲幅,模組廠創見(2451)單季同步揚升8.44%;不過華邦電單季下滑13.49%,旺宏(2337)更累計下跌21.22%。

 美光法說會釋出明確訊號,絕大部分HBM長約已底定,且與客戶簽訂的長期供應協議(SCA)多數具備明確訂價機制;在此趨勢下,國際三大原廠全力將先進製程晶圓轉往高毛利的HBM及先進DDR5,導致傳統DDR4等一般DRAM產能遭到大幅擠壓。在供給端受到嚴格約束、下游資料中心與AI邊緣應用拉貨動能不減的情況下,晶圓原廠與記憶體供應鏈在定價權、產能調配上重掌主導優勢,帶動合約報價走揚,推升晶豪科、南亞科等個股第三季營運與評價齊步走揚。

 法人指出,美光季度營收與獲利均超越財測高標,更關鍵的是長期供應協議(SCA)已增至26份,鎖定未來五年AI核心供應鏈地位。尤其HBM已由過往高成長但略微稀釋毛利的階段,正式轉型為「高成長且優化毛利率」的旗艦主力;在原廠資源高度傾斜HBM之際,常規DRAM與NAND Flash供需缺口將比預期更為嚴峻,具備晶圓製造能力的原廠在定價與產能調配上具備絕對主導權,因此持續將南亞科與華邦電列為族群投資首選。

 展望第四季及後續營運,法人進一步評析,美光預估記憶體供需吃緊態勢將一路延續至明後年,且新產能最快需待後續擴產開出,短期產能缺口難以填補。隨著HBM轉向高獲利產品線、傳統DRAM庫存去化告終並重回賣方市場,台系晶圓廠在第四季合約價議價上依然具備厚實底氣,獲利結構有望進一步優化。法人預期,在傳統伺服器復甦與AI終端滲透率提升下,第四季營運有望「淡季不淡」、維持高檔運作。

 市場目光現已全面鎖定DRAM指標大廠南亞科即將於10月12日登場的線上法人說明會。屆時市場將密切聚焦公司對第三季獲利實質數字、第四季合約報價漲幅延續性,以及產能利用率與高階產品線推進進度。市場認為,南亞科法說會釋出的前瞻指引,將是檢視這波記憶體超級循環續航力的關鍵風向球。

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