【時報-台北電】記憶體產業近期雜音多，惟法人估計，明年全球DRAM晶圓產能增約15％，NAND Flash晶圓產能僅增約4％。多數新廠擴產效益，將在2027年底至2028年逐步顯現，明年記憶體供給仍將吃緊。

　法人指出，AI代理執行長上下文推論、資料檢索及多代理協作，需要CPU處理大量資料並保存任務狀態。當GPU端的高頻寬記憶體（HBM）容量受限，部分推論快取（KV Cache）可移至主機端DDR5。

　隨多個代理同時運作，AI伺服器DDR5配置可由512GB提高至2TB以上，帶動高容量伺服器記憶體模組（DDR5 RDIMM）需求。

　供給方面，三星增產主要仰賴平澤P4L產線，SK海力士龍仁首座廠預計2027年第三季開始貢獻產出，美光銅鑼廠則估於明年中移入設備、2028年產出。

　由於SK海力士M15X與美光在台部分新增產能以HBM為主，通用型DRAM短期供給增幅仍有限。

　NAND Flash方面，SK海力士旗下Solidigm大連二廠預計2027年第一季啟用，支援高容量企業級SSD需求。美光月產能估維持13萬片，重心放在製程轉換，鎧俠與Sandisk的K2廠雖將增產，部分增量將由舊廠減少投片抵銷。

　台廠方面，法人看好南亞科、華邦電及南亞後市。南亞科10月營收464.76億元，年增487.73％，長約比重持續提高，新廠預計2027年第四季開出。

　華邦電10月營收293.61億元，年增256.96％，法人認為第四季快閃記憶體價格仍有上調空間。

　南亞10月營收年增約65％。法人指出，南亞為南亞科大股東，可望受惠於南亞科獲利改善，旗下高階銅箔基���（CCL）出貨也持續挹注營運。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍／台北報導)