【時報編譯柳繼剛綜合外電報導】三星電子5日公布業界第一款，擁有一代記憶體架構，希望效能能達到HBM5八倍的概念模型zHBM。這家全球最大的記憶體晶片製造商，在美西4日加州舉行的2026年未來記憶體與儲存大會上，對外展示這個新技術。

　zHBM專為先進的AI運算而設計的，採用全新的記憶體框架，將HBM(高頻寬記憶體)垂直堆疊在AI加速器上方，突破HBM與處理器並排放置的傳統設計。三星指出，借助晶圓鍵合(wafer-bonding)技術，zHBM的記憶體密度可達HBM5的10倍以上，同時效能大增3倍，熱阻也可降低一半以上。

　該技術還支援客戶的客製化設計，可讓客製化的智慧財產權，整合到記憶體和AI加速器之間的夾層，進而擴充記憶體容量，並提升加速器的效能。三星電子計畫透過zHBM產品，進一步優化AI處理器與記憶體的整合，將人工智慧系統效能提升至最大。

　另外，盡可能地縮短AI處理器與記憶體之間的資料傳輸距離，zHBM也可提供更大的頻寬和更高的能源效率，從而實現大規模人工智慧訓練以及推理所需要的超高速資料處理能力。