【財訊快報／陳孟朔】韓國科技媒體ZDNET Korea報導，韓國DRAM雙雄三星電子(005930.KS)與SK海力士(000660.KS)計畫今年下半年增加向輝達供應8層堆疊高頻寬記憶體第四代產品(HBM4)，藉此配合輝達調整供應策略，確保不同規格HBM供貨穩定。

輝達擴大採用8層HBM4，除考量供應彈性外，也與AI晶片的散熱及功耗管理有關。相較堆疊層數更高的產品，8層HBM有利於降低熱密度及封裝難度，並可提高生產良率，適合對散熱與穩定性要求較高的AI加速器。

消息人士指出，8層堆疊產品極可能成為下一代HBM4E的旗艦規格，顯示HBM競爭不再僅追求更高容量與更多堆疊層數，而是轉向頻寬、功耗、散熱、良率及供應穩定性的整體平衡。

三星與SK海力士同步增加供應，將有助輝達降低對單一HBM規格與供應商的依賴，也可能加劇兩家公司在HBM4認證、價格及市占率方面的競爭。隨著新一代AI晶片進入放量階段，HBM4及HBM4E預料將成為下半年全球記憶體市場的主要成長動能。