【時報-台北電】漢磊（3707）搶攻碳化矽（SiC）高壓功率元件市場，21日宣布推出新一代Gen5 SiC DMOS技術平台，透過通道工程及結構微縮，進一步降低導通電阻並提高功率密度，鎖定電動車、AI資料中心800V高壓直流供電、儲能及智慧電網等應用。

　漢磊總經理劉燦文表示，化合物半導體市場競爭，已進入效能、可靠度、良率及產能交付的綜合較量。Gen5平台除了驗證該公司在元件結構微縮上的技術能力，也將強化高良率、高品質及成本競爭力。

　他指出，漢磊深化純SiC晶圓代工（Pure-play SiC Foundry）布局及產能擴充，隨應用版圖由電動車擴大至AI資料中心、儲能及智慧電網，高壓能源轉換需求，可望成為SiC市場下一波重要成長動能。

　漢磊表示，新一代Gen5 SiC DMOS平台，將單元間距（Cell Pitch）微縮至3.3μm，單位面積導通電阻（Ron,sp）降至2.2～2.3mΩ-cm2，導通損耗較前一代降低12％，整體元件效能提升約15％。隨晶片功率密度提高，可在相同晶片面積下降低發熱量，亦可縮小晶片尺寸，有助客戶降低散熱設計複雜度及系統物料成本。

　量產能力也是此次技術升級重點。漢磊指出，Gen5延續平面型（Planar）架構，在閘極氧化層可靠度及短路耐受時間（SCWT）方面維持優勢，目前1,200V產品晶圓測試（CP）良率已穩定突破90％，兼顧效能、可靠度及量產成本競爭力。

　漢磊將SiC市場由既有車用領域進一步延伸至AI基礎設施。Gen5平台目前依循車規AEC-Q101及���組規範AQG 324推進客戶驗證，主要鎖定三大應用市場。其中，新能源車應用涵蓋主驅逆變器（Traction Inverter）、車載充電器（OBC）及高壓DC-DC轉換器；AI資料中心則瞄準800V HVDC高壓直流供電架構下的AI伺服器電源，包括CRPS及PSU等產品。

　隨AI伺服器功耗持續攀升，資料中心電力架構朝高電壓、高效率方向發展，功率半導體降低電力轉換損耗的重要性同步提高，也為SiC元件新成長市場。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍／台北報導)