【財訊快報／陳孟朔】中國DRAM大廠長鑫科技(滬股代碼688825)傳出LPDDR6研發取得關鍵進展，目前研發驗證已接近尾聲，距離小批量導入及正式量產再進一步。其首款LPDDR6產品設計速率達12,800Mbps，與系統單晶片(SoC)協同運行的基礎速率為10,667Mbps，顆粒容量16Gb，並採用1,295 Ball POP封裝，在功耗、可靠性、可用性與可維護性等功能上，均較LPDDR5X明顯提升。

長鑫科技2023年底推出速率6,400Mbps的LPDDR5，2025年再把LPDDR5X最高速率提高至10,667Mbps，並將功耗降低30%。若LPDDR6能依規劃於2026年下半年導入量產，意味公司從LPDDR5跨越至LPDDR6僅耗時不到三年。反觀，SK海力士(SK Hynix)已於今年3月宣布完成16Gb LPDDR6開發驗證，同樣規劃下半年量產，長鑫正加速縮小與全球記憶體一線廠商的技術差距。

技術突破消息傳出之際，長鑫科技掛牌首週股價表現強勁。公司7月27日以每股8.66元人民幣(下同)發行，上市首日收在49元，較發行價暴漲465.82%；7月31日收盤再漲2.08%，報53.97元，較首日收盤續漲10.14%，相較發行價累計飆升523.21%，總市值升至約3.61兆元人民幣。上市首日成交額達1,411.87億元人民幣，創A股單一個股單日成交額紀錄，並一度登上A股市值首位。

長鑫LPDDR產品目前已進入小米、傳音、榮耀、OPPO及vivo等手機品牌供應鏈，市場並關注蘋果(Apple，美股代碼AAPL)是否將其納入中國市場產品的記憶體供應體系。野村估計，長鑫目前全球DRAM市占率約10%，至2028年底可能升至18%。市場人士指出，LPDDR6若順利量���，不僅有助長鑫拓展高階手機及邊緣AI裝置市場，也可能趁三星電子(Samsung Electronics)與美光(Micron，美股代碼MU)將更多產能轉向HBM及伺服器DRAM之際，進一步改寫全球DRAM供應格局。