【財訊快報／陳孟朔】中國最大動態隨機存取記憶體(DRAM)製造商長鑫存儲(CXMT，688825.SH)傳出計劃在未來兩個月內啟動高頻寬記憶體(HBM)產品HBM3E的小規模生產，即使目前良率僅約20%至30%，仍希望儘快建立本土先進AI記憶體供應能力。

路透週三(28日)獨家引述兩名知情人士透露，長鑫已向數家中國人工智慧(AI)晶片設計公司提供HBM3E樣品，但其良率遠低於全球龍頭SK海力士約70%的水準，且實際測試效能更接近SK海力士上一代HBM3產品，凸顯中國雖積極推動半導體自主化，與韓國主要記憶體業者仍存在明顯技術差距。

根據路透報導，長鑫存儲自2024年起投入HBM相關技術研發，目前已向中國客戶提供兩種HBM3E樣品，包括標準版本及針對提高生產良率修改設計的改良版本。知情人士指出，由於目前僅約兩至三成產品符合規格，大量晶片必須報廢或重新加工，導致單位生產成本偏高，未來長鑫HBM3E的製造成本甚至可能超過海外競爭對手的同級產品。長鑫仍決定推進生產，主要是因為中國AI晶片業者面臨嚴重的先進記憶體供應瓶頸，美國自2024年12月起加強限制部分先進HBM產品輸往中國，使本土晶片企業難以取得足夠記憶體，部分業者必須透過非正式供應管道，以高於正常市場數倍的價格採購相關產品。

先進記憶體短缺已開始影響中國AI晶片產業的供應與定價。路透先前披露，華為、寒武紀(688256.SH)、沐曦股份(688802.SH)及天數智芯(9903.HK)等中國AI晶片業者，已因記憶體成本攀升及產品供應受限，將現有及下一代AI晶片價格調高20%至50%。HBM透過垂直堆疊多層DRAM晶片，提高資料傳輸頻寬及運算效率，是大型語言模型訓練、推論及高效能AI加速器不可或缺的關鍵元件。由於輝達(Nvidia)及其他國際晶片業者持續擴大先進HBM採購，中國業者在出口管制限制下更難取得高階產品，因此即使本土供應商初期良率偏低、成本較高，仍具有降低進口依賴及確保供應的戰略意義。

全球HBM市場目前仍由SK海力士、三星電子及美光科技主導。根據Counterpoint Research統計，今年第二季SK海力士以50%的營收市占率居冠，三星以33%排名第二，美光占18%；長鑫存儲雖已拿下全球DRAM市場約10%營收市占率，成為全球第四大DRAM供應商，但在先進HBM領域仍處於追趕階段。三星今年7月宣布擴大HBM4銷售，並向主要客戶提供下一代HBM4E樣品；SK海力士則在週三第三季法說會指出，HBM4良率已超越內部目標，第四季HBM4出貨量及營收預計超越HBM3E，並已於第二季交付HBM4E樣品。相較之下，長鑫HBM3E仍處於量產初期準備階段，技術至少落後韓國龍頭一個世代，未來能否改善良率、降低成本並取得穩定訂單，將成為中國AI記憶體自主化的重要考驗。