【時報-台北電】大陸DRAM龍頭長鑫科技20日宣布，第5代（G5）技術平台正式進入量產，晶圓裸片產出較上一代提升逾50％；基於G5平台打造的24Gb LPDDR5X產品也進入規模量產，並導入大陸主流旗艦手機。陸媒指出，隨新一代製程平台落地，長鑫科技持續縮小與三星電子、SK海力士及美光科技等全球主要記憶體業者的技術差距。

　長鑫科技此次在2026世界製造業大會上表示，G5微縮工藝將記憶體陣列有源區半間距縮小至11.95奈米，儲存器電容深寬比達45：1，進一步提升儲存密度。在相同條件下，每片晶圓的裸片產出數量較第4代平台增加至少50％，同時可提升產品能效並降低生產成本。

　此次大會也同步展出兩款基於G5平台打造的LPDDR5X量產產品，單顆容量均達24Gb，較上一代同類產品提升50％，分別採用496 Ball及245 Ball封裝規格，可應用於中高階智慧手機及便攜式消費電子產品，目前均已進入規模量產階段。

　長鑫科技表示，公司是利用電腦模擬技術，與大陸晶片設備業者在關鍵生產環節展開合作，完成G5技術平台開發。長鑫科技副總裁駱曉東表示，目前公司工藝能力已與業界最先進的量產節點相當。

　長鑫G5平台量產之際，也正值北京持續降低對外國半導體技術依賴。美國自2022年起陸續實施出口管制，限制大陸取得部分先進晶片製造設備及相關軟體，促使大陸記憶體業者加速推進自主技術與供應鏈布局。

　除了G5平台外，長鑫近期在低功耗記憶體產品上也持續擴大布局。日前，長鑫存儲自主研發的LPDDR6晶片已實現量產商用，首發搭載於小米18 Fold折疊旗艦手機，成為LPDDR6產品首次在旗艦手機端落地商用。該產品容量為16GB，最高傳輸速率達12,800Mbps，可應用於旗艦智慧手機及高效能終端設備。(新聞來源 : 工商時報一高陸／綜合報導)