（１）新聞內容摘要：聯電(2303)宣布推出全新55奈米BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）平台，主打更小晶片面積、低功耗及高抗雜訊性能，鎖定車用電子、行動裝置及工業控制等高可靠度市場。該平台整合Non-EPI、EPI與SOI三種製程架構，並支援UTM、eFlash與RRAM等模組，提供高整合度與設計彈性。法人看好此技術有助聯電深化特殊製程布局，搶攻電動車及AI終端電源管理需求。

（２）新聞解讀：聯電強化BCD製程技術版圖，從0.35微米延伸至55奈米，強化在車用與工控市場的競爭力。55奈米平台的導入，將成為聯電進軍高效能電源管理晶片領域的重要關鍵，並有助拓展車用PMIC及馬達驅動IC代工版圖。（呂泰德）

（３）投資評等：聯電(2303)：長線☆。