【財訊快報／記者李純君報導】半導體主流先進製程2025年的發展重心，TrendForce點出，晶圓代工廠部分將是台積電(2330)、英特爾與三星，三方都正式轉進GAAFET架構的競賽。

TrendForce指出，晶圓廠前段製程發展至7奈米製程導入EUV微影技術後，FinFET結構自3奈米開始逐漸面臨物理極限，先進製程技術自此出現分歧。台積電及英特爾延續FinFET結構於2023年量產3奈米產品；三星部分，嘗試由3奈米首先導入基於GAAFET(Gate all around Field Effect Transistors)的MBCFET架構(Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor)，並於2022年正式量產，但至今未放量。

進入2025年後，台積電2奈米正式轉進奈米片電晶體架構(Nanosheet Transistor Architecture)，英特爾18A則導入帶式場效電晶體(RibbonFET)，三星仍致力改善MBCFET 3nm製程，力拚2025年實現規模量產，三方正式轉進GAAFET架構競賽，期盼藉由四面接觸有效控制閘極，為客戶帶來更高效能、更低功耗且單位面積電晶體密度更高的晶片。