【財訊快報／陳孟朔】外電引述韓國海關公布最新進出口數據顯示，DRAM與NAND快閃記憶體價格在單月內出現大幅跳漲，折射出全球存儲市場在AI需求驅動下的結構性供需失衡。數據覆蓋2026年4月至5月10日區間，與去年同期相比，各主要品類漲幅普遍在165%至500%之間。

其中，NAND快閃記憶體產品價格月比飆升63.1%，漲幅位居首位。市場研究機構TrendForce指出，企業級合約價格漲勢尤為突出，預計NAND價格在第二季將累漲70%至75%。與此同時，HBM記憶體價格月漲18.7%，年比漲幅達165.5%，而裸DRAM晶片價格月比漲幅亦超過20%。

三星、SK海力士、美光等主要製造商正加速擴產。但三星指出，2027年存儲市場的供需緊張程度可能較2026年進一步加劇，新建晶圓廠從動工到量產至少需要兩至三年，短期內供應端難以實質性緩解。HBM作為AI伺服器核心組件，其價格走勢直接關係到下游數據中心的建設成本。

儘管企業級及AI相關存儲產品價格持續攀升，消費端卻出現明顯背離。TrendForce數據顯示，面向消費市場的TLC顆粒SSD現貨價格已下跌30%至40%。這一下行壓力源於PC市場需求明顯放緩，高價格環境抑制消費者購機意願，導致通用消費級SSD庫存積壓，現貨價格隨之承壓回落。