【財訊快報／陳孟朔】外電報導，韓國記憶體巨頭SK海力士(SK Hynix，000660.KS)週二宣布發布「iHBM」(Integrated HBM)先進控溫散熱儲存技術。該技術核心在於高頻寬記憶體(HBM)封裝內部直接嵌入整合式冷卻元件「ICE」(Integrated Cooling Elements)，從結構層面建立獨立的專用散熱路徑，顯著降低產品在高負荷運作時的內部發熱量。

隨著AI數據處理需求激增，HBM技術正朝向更高堆疊層數與更高速傳輸方向演進，但連接HBM與GPU的實體層介面(D2D PHY)往往因熱量高度集中而成為散熱技術瓶頸。iHBM所採用的ICE元件是由電氣絕緣且導熱性極佳的矽基材料製成，能使結構熱阻比現有解決方案大幅降低30%以上，確保晶片在持續的高溫、高負載環境下維持高度穩定運作。

在量產與生態兼容性方面，SK海力士強調iHBM將採用市場所驗證的MR-MUF(批量重流模製底封)先進封裝工藝，以確保高產出率與大規模製造的競爭力。此外，該技術架構與現有的標準系統整合生態系統高度兼容，這意味著企業客戶在導入時，無需面臨顛覆性的系統設計變更與額外修改成本。

SK海力士計畫將這項全新的iHBM散熱解決方案率先應用於HBM5等下一代產品中。市場人士指出，隨著高性能計算(HPC)與大型AI資料中心對超高度集成、超高頻寬場景的散熱管控需求愈發嚴苛，SK海力士此舉將進一步推升系統整體的穩定性與運行效率，並鞏固其在次世代AI晶片供應鏈中的技術領先優勢。