【財訊快報／記者李純君報導】力積電(6770)昨日法說會，就記憶體代工產線近況提出說明，DRAM部分，需求將持續吃緊，公司利基型DRAM晶圓代工價格持續維持在高檔。NAND端，公司已經已將SLC NAND代工平台轉向更具競爭力的24奈米製程。NOR部分，256Mb以上規格目前供不應求，力積電是除了中國之外唯一的代工廠。

在DRAM部分，力積電提到，AI伺服器所採用的HBM持續消耗DRAM大廠先進製程的產能，產能吃緊下，nVidia Rubin架構的HBM容量被迫由288GB降規至192GB。此外，推理需求取代訓練，成為消耗算力的「無底洞」，全球DRAM市場仍處於供需失衡的狀態。

再者，近期因AI的普及，造成一波舊辦公電腦淘汰潮，拆板貨DRAM供應充足，雖造成DDR3現貨價疲緩，但應也只是短期效應。在大廠積極往HBM轉移，逐步退出利基型DRAM的情形下，需求將持續吃緊，公司利基型DRAM晶圓代工價格持續維持在高檔。此外，與美光合作的DRAM 1P製程進展順利，初版PDK將於年底前完成，機台將於2027年第一季前到位，第二季進入試產。

NAND方面，公司表示，三星和鎧俠皆已逐步退出MLC NAND供應，MLC在市場極度短缺的情況下，部分工控及消費電子廠商被迫降規到SLC NAND，SLC NAND中較大容量(例如4Gb SLC)的需求可望進一步擴大，力積電已將SLC NAND代工平台轉向更具競爭力的24奈米製程以強化產品競爭力。

此外，AI推論模型帶動了主流NAND Flash的需求，大廠將重心移往3D TLC或QLC NAND，以因應企業級SSD的熱門應用。力積電與客戶合作開發MLC NAND產品，預計2026年底新產品NTO，以增加NAND容量並擴展市場廣度與應用深度。

再者，NOR端，AI伺服器帶動NOR Flash的Content Per Box，是一般傳統伺服器的3～5倍，特別是大容量(>=256Mb)NOR Flash，目前市場處於供不應求的狀態。力積電受惠於地緣政治因素影響，是除了中國之外唯一的NOR Flash代工業者。