【時報記者葉時安台北報導】微矽電子-創(8162)周五舉行實體法說會，由業務副總兼發言人王志成、財務部資深經理吳柏賢主講。微矽電子去年每股盈餘1.57元，為三年新高。展望今年，在PMIC、MOSFET、GaN的需求帶動下，2026年業績可望持續成長，年度營收可望雙位數成長，今年旺季單季毛利率可望回到三成。微矽電子今年資本支出預估成長52%至3.8億元。微矽電子擬配息1.5元，現金殖利率3.83%，公司也擬轉一般板上市掛牌交易，若股東會通過，預估年底前轉板。

　微矽電子今年前2月營收1.72億元，年減8.98%。公司產能利用率首季在7成，主因受到過年工作天數且淡季影響，目前三月產能利用率已加溫，評估第二季產能利率會更高，今年旺季單季毛利率可望回到三成，2026年業績可望持續成長，年度營收可望雙位數成長。微矽電子去年資本支出約2.5億元，今年資本支出預估3.8億元，包括設備擴充等。

　回顧微矽電子去年第四季營運表現，公司說明，單季營收、毛利率雙減，第4季為傳統淡季，受美國關稅影響，去年前三季有部分提前拉貨訂單．造成去年第四季訂單量下滑，設備使用率下滑，影響獲利表現。氮化鎵(GaN)的部分，由於主力客戶進行轉型調整，退出消費性市場，全面轉向高功率應用領域，因此營收有受到影響，2026年應可逐季恢復動能。DDR5相關類比IC的部分，則受到DRAM缺貨的影響，去年第4季的訂單量有所放緩。至於貴金屬價格上漲，影響晶圓薄化毛利率，今年已經開始調漲代工價格，以反應成本的上升。

　微矽電子去年營業收入12.74億元，年增19.79%；營業毛利3.21億元，年增51.24%，毛利率25.20%，年增5.24個百分點；營業利益1.26億元，年增224.70%，營益率9.91%，年增6.25個百分點；本期淨利1.07億元，年增23.41%，淨利率8.44%，年增0.25個百分點；年度每股盈餘1.57元，為三年新高。

　微矽電子董事會決議股利分派，114年度每股盈餘分配之現金股利1.5元，共發出1億305萬3000元，配發率高達95.54%，以周五(3月20日)收盤價39.15元計算，現金殖利率3.83%。微矽電子將在5月28日召開115年度股東常會，並補選本公司第十五屆一席一般董事案。而微矽電子為因應公司永續發展及吸引優秀專業人才，擬授權董事長於適當時間向台灣證券交易所申請本公司股票改列一般板上市掛牌交易。微矽電子提到，轉一般版也需在今年股東常會討論，在後續消息依公司重訊為主，若股東會通過，預計轉一般板上市將在今年年底前。

　微矽電子去年營收營業項目比重，半導體測試占72%、晶圓薄化占21%、半導體封裝占7%。展望今年營運，氮化鎵(GaN)的應用領域持續擴散，包括低軌衛星、AI伺服器、資料中心、BBU、機器人、機器狗、無人機，已及快速充電器、家電，帶動需求成長。公司整體受惠PMIC、MOSFET、GaN的需求帶動下，2026年業績可望持續成長。

　微矽電子進一步說明，類比IC大廠相繼調漲產品售價，全球類比IC市場復甦訊號明確。HPC與網通市場帶動DrMOS(Driver MoS)與SPS(Smart Power Stage)的成長。高功率低功耗MOSFET成長動能強，帶動相關晶圓薄化與晶圓測試的持續成長。而邊緣AI應用，推動AI PC/NB需求成長，AI資料中心電力架構升級，帶動電源管理IC與功率元件需求的結構性增長，成為長期成長引擎。

　AI伺服器與資料中心功耗飆升，HVDC高壓直流電力架構成為新主流，帶動氮化鎵(GaN)與碳化的(SiC)的需求爆發，成為重要成長引擎。台積電2027年7月退出氮化鎵(GaN)市場，關廠前投片潮將帶動大量測試。安世半導體轉單效應逐漸發酵，也將帶動MOSFET客戶需求上升。

　微矽電子FSM(晶圓正面金屬鍍膜)產品驗證陸續完成，今年已經開始進入小量量產；公司切入矽電容(Si-Cap)後段製程，陸續進行客戶驗證，預計下半年開始進入小量量產；也切入功率模組(Power Module)的成品測試與Burn-in測試，無塵室擴建預計第二季完成，第三季開始進入小量量產。