第三類半導體大廠納微（Navitas）宣布推出全球首款GaN+SiC 8.5kW AI資料中心伺服器電源供應器，其採用氮化鎵和碳化矽技術的混合設計，實現97.5%以上之超高效率，並計畫於短期內再推12kW產品，積極搶攻AI和超大規模資料中心商機。

納微表示，該款電源供應器採用高功率GaNSafe氮化鎵功率晶片和第三代快速碳化矽MOSFET，實現最高效率和最佳性能，同時將無源器件的數量降至最低，與最接近的競爭產品相比，該電源的氮化鎵和碳化矽器件數量要少25%，進而降低了整體成本。

該電源的三相由高功率GaNSafe氮化鎵功率晶片驅動，該晶片專為嚴苛的高功率應用而設計，如AI資料中心和工業市場而設計打造，第四代氮化鎵產品集合控制、驅動、傳感和關鍵保護功能，具備優異可靠性和穩定性。

另外，第三代碳化矽MOSFET驅動，採用溝槽輔助平面技術，提供優異溫度性能，具備低溫升運行、快速開關和穩定性優點，可加速電動車的充電速度或AI資料中心增進三倍功率。