【財訊快報／陳孟朔】韓國媒體報導週二(23日)引爆全球記憶體股賣壓，市場傳出輝達(Nvidia，美股代碼NVDA)下一代Rubin平台生產預測遭下修，SK海力士(SK Hynix，韓股代碼000660)因此放緩第六代高頻寬記憶體(HBM4)擴產節奏，並將資源轉向獲利能力更強的一般型DRAM市場。消息衝擊美韓半導體鏈，美光(Micron，美股代碼MU)股價週二在財報公布前夕暴跌13.18%，閃迪(Sandisk，美股代碼SNDK)崩跌13.64%，兩者分居標普500指數兩大魯蛇，威騰電子(Western Digital，美股代碼WDC)挫8.45%，希捷(Seagate，美股代碼STX)急跌5.07%，AI記憶體族群遭遇今年來最劇烈的單日估值重估之一。

韓媒報導引述熟悉SK海力士內部情況人士指出，隨著輝達Rubin晶片生產預測持續下修，管理層已無必要加速將產線轉換至HBM4。該消息迅速被交易員視為AI記憶體需求可能降溫的訊號，韓股首當其衝，SK海力士與三星電子雙雙大跌，KOSPI一度暴跌逾10%並觸發熔斷機制。由於記憶體股在韓股權重龐大，市場恐慌進一步外溢至美股費半成分股與AI數據中心供應鏈。

報導的另一層含義在於，記憶體市場內部獲利結構正在改變。市場消息稱，「一般型DRAM營業利益率已反超HBM逾15個百分點」，部分券商甚至估計，一般型DRAM年內理論高峰利益率可達90%。在此背景下，SK海力士據稱延後部分HBM3E產線轉換為HBM4的計畫，轉而提高對一般型DRAM的供應彈性；這也呼應三星電子(韓股代碼005930)近期透過一般型DRAM取得高額利潤的現實壓力。

不過，這波賣壓更像是高漲多頭部位對單一利空的劇烈反應，而非AI投資循環已確定反轉。美光財報前夕重挫尤其敏感，市場原先高度押注HBM、DRAM與AI伺服器需求將推升財測，一旦出現「Rubin需求下修」與「HBM4擴產放緩」傳聞，股價自然先行反映預期落差風險。後續觀察重點在於，美光財報是否維持強勁DRAM與HBM展望、輝達是否調整Rubin出貨節奏、SK海力士是否正式修正資本支出與產線轉換計畫，以及一般型DRAM漲價週期能否抵消HBM成長疑慮。