【時報-台北電】大陸積極推動半導體自主化，高頻寬記憶體（HBM）被視為國產AI晶片突破效能瓶頸的關鍵環節，近日流出HBM專家交流紀錄指出，大陸國產HBM良率預計未來6個月內從此前25％大幅提升至40％至50％，明年HBM供應量也有望增加。不過陸媒分析，受到製程難度及產能成本限制，國產HBM目前仍難以靠低價搶市。

　HBM是將多層動態隨機存取記憶體（DRAM）垂直堆疊，透過高密度連接提升資料傳輸速度，滿足AI晶片處理大量資料需求。良率若偏低將推高每顆可用晶片的成本。陸媒指出，生產1顆HBM所消耗產能，約相當2.5至3倍一般記憶體，對產能配置形成壓力。

　若良率能在半年內提升至40％至50％，大陸HBM明年供應量可望擴大，也有助緩解國產AI晶片取得高階記憶體的限制。此前，部分國產AI晶片所使用的HBM，主要來自既有庫存或向三星、SK海力士等海外廠商採購，規格與供應量均受到限制。

　同時，市場也將華為昇騰960提前量產的消息，視為國產AI晶片供應鏈進展的觀察指標；至於HBM良率提升能否直接帶動晶片出貨，仍取決於產能、封裝及整體供應鏈配合。

　不過，良率提升不代表陸廠相對國際大廠更有價格優勢，相關資訊指出，國產HBM報價仍接近三星等業者，價差可能在20％以內，並未採取大幅降價策略。

　此外大陸HBM要追上國際領先業者，仍有技術關卡待突破。韓媒9月曾提到，長鑫存儲HBM初期良率約25％，遠低於業界常以80％作為量產成熟度參考水準，長鑫存儲已進入第四代HBM3試產階段，但在多層晶片堆疊所需的矽穿孔（TSV）技術上，與三星、SK海力士等廠商存在不小差距。　TSV攸關HBM堆疊後的訊號傳輸與製程品質。分析稱，長鑫存儲與領先廠商仍有約4至5年的技術差距。(新聞來源 : 工商時報一高陸／綜合報導)