【財訊快報／記者張家瑋報導】因應未來HVDC及高功率電源強勁成長態勢，半導體大廠安森美（onsemi）推出GaNEXUS氮化鎵（GaN）功率裝置產品組合，首批樣品包括電壓範圍從40V到650V的GaNEXUS FET以及GaNEXUS Smart 650V GaN FET。安森美表示，該產品組合適合高功耗應用，例如人工智慧資料中心供電、48V系統、機器人和工業自動化以及能源基礎設施。

隨著人工智慧基礎設施、電氣化、工業自動化和能源系統的發展，對更高效、更緊湊的電源架構的需求不斷增長，設計人員在能耗、散熱和系統規模方面面臨日益嚴峻的挑戰。根據研調機構預測，到2030年，單是人工智慧資料中心就將消耗美國高達9%的電力，而電力和冷卻成本將佔資料中心總營運成本的40% 。

安森美表示，與傳統的矽基解決方案相比，GaNEXUS 透過實現更快的開關速度、更低的開關損耗、更高的功率密度和更優異的散熱性能來應對這些挑戰。這些優勢使客戶能夠在從人工智慧資料中心供電、電動車充電到機器人和工業電源系統等各種應用中，縮小磁性元件和冷卻系統的尺寸，同時提高整體系統效率和響應速度，並降低系統成本。

安森美半導體GaN事業部副總裁Antoine Jalabert表示，安森美的GaNEXUS產品組合正在為電源系統設計帶來全新的架構。隨著客戶對更小空間內更高功率的需求不斷增長，該產品組合為工程師提供了更大的靈活性，協助客戶克服傳統電源架構所面臨的種種限制。