【財訊快報／記者張家瑋報導】隨著電氣化、可再生能源、工業效率和高密度功率轉換重塑全球半導體需求，碳化矽（SiC）正進入關鍵成長階段，研調機構Stratistics MRC預測，2026年全球SiC半導體裝置市場規模將達到58億美元，2034年將進一步增長至227億美元、複合年成長率達18.6%。

SiC與傳統的矽基功率元件相比，具更優異的性能，更高的擊穿電壓、更高的導熱係數、更高的開關頻率和更低的功率損耗。這些元件包括SiC分離元件，如SiC MOSFET、SiC肖特基二極體、SiC JFET、SiC BJT和SiC閘流體，及碳化矽功率模組。

Stratistics MRC表示，汽車和交通運輸業的加速電氣化是SiC半導體裝置市場的主要驅動力。電動車（EV）需要高效的電力電子裝置，例如牽引逆變器、車載充電器和DC to DC轉換器，而SiC裝置具有卓越的效率、更長的續航里程和快速充電能力。SiC技術也擴大應用於軌道運輸和電動重型車輛領域，以提高效率和可靠性。隨著全球汽車電氣化進程的加速，對SiC半導體元件的需求將持續快速成長。

可再生能源發電和EV充電基礎設施的快速擴張為SiC裝置帶來了巨大的成長機會。太陽能逆變器和風力發電轉換器受益於SiC的高效率和高功率密度，從而提高了能量轉換效率並降低了系統成本。電動車充電基礎設施需要高效的功率轉換來支援快速充電站，而SiC裝置則能夠實現緊湊、高功率且更有效率的設計。

SiC半導體元件市場面臨來自氮化鎵（GaN）功率元件和先進矽技術的競爭威脅，這可能會限制其在某些應用領域的普及。GaN裝置在特定電壓範圍和開關頻率應用中具有優勢，在某些電力電子領域與SiC競爭。此外，矽元件技術的不斷進步，包括超接面MOSFET和IGBT，正在提升裝置性能，並縮小與寬能隙解決方案之間的差距。這些競爭壓力可能會限制SiC在某些應用中的普及，因為其他技術能夠以更低的成本提供足夠的效能。

Stratistics MRC指出，SiC功率模組市場預計將呈現最高的成長率，這主要得益於市場對高功率SiC解決方案的需求不斷成長。這些解決方案將多個SiC裝置整合到緊湊、散熱最佳化的封裝中，以滿足汽車和工業應用等嚴苛要求。與分離元件相比，SiC模組簡化了設計，提高了可靠性，並提供了更高的功率密度。

市佔率最大的地區預期以亞太地區為主，主要得益於日本、中國、韓國、台灣和新加坡等國家擁有眾多主要的半導體製造商，以及強勁的汽車生產能力、EV的日益普及和對SiC技術的巨額投資。此外，家用電子電器製造業的集中性以及對可再生能源投資的不斷成長也是該地區市場佔有率佔比高的重要因素。