【時報-台北電】中國記憶體大廠長江存儲14日傳出將大幅擴張產能，除2026年即將完工的一座新廠外，更規劃再興建兩座工廠。外媒報導，若這三座新廠全數投入營運，長江存儲的整體生產規模將較現狀增加一倍以上，顯示該公司在中美科技角力下，正加速布建自主產線以降低對外依賴。

　路透報導，全球半導體競爭白熱化之際，中國正積極推動晶片自主化發展，以因應美國持續收緊的技術限制。美國跨黨派國會議員近日提案，擬進一步縮緊晶片製造設備出口至中國的禁令。長江存儲目前是中國最大NAND快閃記憶體製造商，產品廣泛應用於智慧手機與電腦的資料儲存。

　知情人士透露，上述三座新廠在全面投產後，每座工廠的月產能可達10萬片晶圓。對比長江存儲現有兩座晶圓廠合計約20萬片的月產能，新產線的加入將使總產能大幅躍升。

　長江存儲的第三座工廠與既有兩座廠區同樣位於武漢，目前新廠房已完工，正處於設備安裝階段，預計2026年底啟動營運，並在2027年達到每月5萬片晶圓產能。知情人士指出，該廠超過5成設備來自中國本土供應商，其中包括用於晶片層垂直堆疊等製程的關鍵設備。

　美國商務部2022年12月將長江存儲列入實體清單後，該公司顯著加強與本土供應鏈合作，其中包括中微半導體等設備業者。

　市占表現方面，瑞銀報告指出，長江存儲2025年在全球NAND快閃記憶體市占率達11.8％，與Sandisk相當。雖然目前仍落後於三星的30.4％，但已與SK海力士（16％）、鎧俠（15.9％）與美光（13.3％）等國際大廠拉近距離，預估至2027年初，長江存儲市占率有望進一步突破14％。

　除了固守NAND快閃記憶體陣地，長江存儲也將觸角延伸至DRAM領域。知情人士透露，未來這三座新廠都將配置部分產能投入DRAM生產。(新聞來源 : 工商時報一蘇崇愷／綜合報導)