【財訊快報／陳孟朔】《首爾經濟日報》報導，三星電子(005930.KS)正依照輝達(Nvidia，美股代碼NVDA)要求，開發採用8層堆疊設計的第七代高頻寬記憶體HBM4E，與三星原先規劃的12層及16層產品相比，堆疊高度明顯降低，據悉將用於輝達推動的客製化NVHBM記憶體平台。

輝達要求新產品的單針傳輸速度達到每秒17至18Gbps，較三星初期HBM4E樣品的14.4Gbps提高約20%。若能達到相關規格，8層產品可望在降低封裝高度與散熱難度的同時，透過更高資料傳輸速度維持AI加速器所需頻寬。

HBM4E被視為HBM4之後的新一代產品，客製化程度將進一步提高，記憶體廠商須配合AI晶片業者調整堆疊層數、邏輯基底晶片、傳輸介面及封裝設計。輝達要求改採8層架構，反映AI晶片設計正從單純追求更高容量，轉向頻寬、功耗、散熱及封裝良率之間的整體平衡。

對三星電子而言，若8層HBM4E通過輝達驗證並進入NVHBM供應鏈，將有助縮小其與SK海力士(000660.KS)在高階HBM市場的差距。不過，17至18Gbps速度要求明顯高於三星現有樣品，量產良率、功耗控制及客戶驗證進度，仍將是能否轉化為實際訂單的關鍵。