【時報編譯柳繼剛綜合外電報導】韓國晶片製造商SK海力士，美國27日在印第安納州舉行AI記憶體先進封裝廠的奠基儀式，預計每年產能將達幾10萬片晶圓。SK海力士預估，目前記憶體晶片短缺的現象，應該會持續到2030年底。

　SK海力士正在積極推動，在美國建立第一個下一代HBM(高頻寬記憶體)的生產中心，這項工程的總投資金額，預估將超過40億美元，HBM是AI先進晶片的重要零組件之一。

　SK海力士計畫在印第安納州的這座廠房，最晚在2028年10月之前，先啟用無塵室設備，另外，到了2029下半年期間，再開始量產下一代的HBM晶片。2030年之前，該廠將成為美國重要的HBM生產基地，正式運作後可望有千名員工。

　根據了解，SK海力士在韓國生產的高端晶圓被運到印第安納州後，將進行先進的封裝和測試作業，然後這些被稱為美國製造(made-in-U.S.A.)的產品，再供應給像NVIDIA這類美國大型的科技公司。

　這場開工典禮上冠蓋雲集，包括韓國和美國政府的高級官員與政要，例如，韓國駐美國大使、印第安納州州長，還有美國國會議員等，以及SK集團的高層也都有出席。

　SK海力士執行長表示，這不僅僅是一個建設的開始，而是SK海力士已開始在美國打造人工智慧的新未來，計畫2029年第3季量產下一代HBM4E，可為客戶提供美國製造的新型HBM晶片，同時加強美國半導體供應鏈。

　韓媒指出，拜登政府時期在晶片法案(CHIPS Act)的推動下，SK海力士宣布要在美國的投資計畫。2024年12月，美國商務部決定根據晶片法案，提供SK海力士4.58億美元的資金，以及5億美元的貸款，就是用在這座印第安納州的廠房上。