【財訊快報／記者李純君報導】英特爾宣布，為業界首家採用High NA EUV並實現大量生產的公司，且英特爾與ASML於2024年在位於英特爾俄勒岡州的研發中心完成了業界首台商用高數值孔徑（High NA）極紫外光刻系統的整合，且在Intel 18A製程中於特定層有使用High NA。

本週於SPIE光罩技術暨極紫外光微影研討會（SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography）上，英特爾晶圓代工與ASML分享將高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術持續導入生產，以及未來將擴大應用的最新技術進展。

英特爾晶圓代工（Intel Foundry）宣布，和ASML迄今已製造超過一百萬片晶圓，協助客戶現階段即可運用High NA EUV，並為未來規模化應用做好準備。且採用Intel 18A製程生產、並於特定層使用High NA的產品。

英特爾晶圓代工提到，High NA已應用於英特爾晶圓代工的高量產製造，從早期設備的認證與測試、研發，到代號為Panther Lake的Intel Core Ultra Series 3處理器部分特定層的量產，迄今累計超過100萬片晶圓採用相關製程；其疊對精度（overlay）、產能（throughput）及設備可用率（availability）均達到英特爾晶圓代工的預期。

客戶可透過業界現行的光罩規格，實現High NA帶來的效益，無論是6吋光罩範圍內進行平面規劃（floor-planning），或採用英特爾晶圓代工的拼接技術與製程設計套件（PDK）解決方案。

ASML總裁暨���行長Christophe Fouquet表示：「從2024年安裝首套商用EXE系統、完成最新一代設備認證，到出貨首款採用High NA製造的高量產邏輯產品，英特爾晶圓代工一直是引領產業採用High NA的關鍵業者之一。ASML肯定英特爾晶圓代工在High NA領域的先驅地位，以及其透過6吋光罩的創新方案為客戶創造即時價值的成果，同時也感謝英特爾代工長期支持光罩朝6 × 12吋規格演進。」

英特爾執行副總裁暨英特爾晶圓代工共同總經理Naga Chandrasekaran表示：「面對日益複雜的AI產品，企業需要已具備量產條件、且易於使用的製造創新技術。在微影技術方面，英特爾晶圓代工近期專注於支援客戶在6吋光罩上採用High NA EUV，無論是否採用拼接技術，同時推動至6x12吋光罩轉型。我們將持續與ASML及整個產業緊密合作，共同推動這項轉型。」