【時報記者葉時安台北報導】台股相對抗跌，但記憶體仍無力表態，美光上周公布財報後利多出盡，技術面突破前高失敗，逆勢下跌4.38%，為費半表現最差成分股。而台系族群，遭再次處置的旺宏(2337)摜殺跌停，早盤另有1.8萬張排隊欲賣；模組廠廣穎(4973)、晶豪科(3006)、宇瞻(8271)、凌航(3135)、創見(2451)等也全數慘摔跌停；DRAM雙雄華邦電(2344)、南亞科(2408)也雙雙下跌半根跌停。

　DRAM方面，雖然今年第二季價格持續在上升期，下半年留意需求動能，且2027年底、2028年初在DDR4產能預估將陸續開出，牽動價格走勢，價格可能見頂，將進入高原期，不過長約可望對價格有所支撐，而同時各廠也將加速DDR5明年的供給，有助量價維持高檔。市場也提出不同看好，DDR4需求不只消費性電子產品，更擴散至多領域，包括交換器、儲存、網通、AI伺服器周邊、工控，DDR4需求結構改變，預估而非行情結束。

　進一步就需求面分析，記憶體相關業者表示，AI發展從雲端訓練逐步擴散至終端推論應用，需求成長動能持續擴大，將帶動大量硬體升級需求。全球資料中心為搶占AI市場，持續擴大資本支出，亦同步帶旺記憶體需求。

　研調機構Counterpoint Research指出，雖然三星、SK海力士、美光、長鑫及南亞等擴產，預計今年DRAM產量將成長26%、NAND成長24%，但新增產能最快要到2027年下半年才能產生實質緩解作用，記憶體供需何時能恢復正常仍無明確時間表。

　至於NAND市況，近期報價波動正出現比DRAM更劇烈的價格漲勢。韓國媒體報導月初指出，三星計畫在今年第二季再次大幅調漲NAND價格，漲幅高達100%，這也是該公司連續第二季提高報價，且下半年報價更加易漲難跌。

　低容量MLC NAND供給極度緊縮，受惠於在當前排擠效應下，NAND供不應求態勢帶動價格上漲，其中又以eMMC漲幅逾80%最為強勁，旺宏成為唯一受惠者，故帶動旺宏整體營收、獲利表現。預估旺宏今年首季即可望轉虧為盈，主因報價及產能利用率提升，而2026年積極調配產能予eMMC，eMMC市占大幅提高，預期2H26營運爆發性成長。

　華邦電今年第一季受惠於DRAM與Flash報價持續強勁上行與訂單能見度提升，加上產能維持滿載與產品組合優化，DDR4比重提升，帶動出貨位元數與ASP同步成長，其中DRAM價格預估季增約78%，Flash相關產品則季增約25%，因供給收斂，包含中國競爭對手退出NOR Flash市場以及台灣競爭對手部分轉產，與終端需求回溫，包括車用、TWS、AI相關應用，推升獲利顯著成長。

　華邦電DRAM與Flash的報價仍持續強勁，訂單能見度也較優於過往，再加上產能持續滿載以及產品組合優化，看好今年獲利將大幅飆升。而展望2027年，華邦將維持高成長，記憶體擺脫過往周期性的標籤。

　華邦電今年年資本支出預估達421億元，其中生產設備約占95%，包括台中廠擴充NOR與NAND 產能，由月產能50Kwpm提升至57~58Kwpm，設備預計從5月開始裝機，7月開始投片，年底可以開始有實際產能貢獻，NOR與2D SLC NAND皆可彈性調配，及高雄廠擴充DRAM產能。

　華邦電2027年受惠於DRAM與Flash供需缺口仍在高檔、價格維持上行趨勢，以及CUBE產品將開始貢獻營收，搭配高雄廠DRAM產能全面開出，由2026年底的月產能15Kwpm提升至約25Kwpm，帶動出貨位元數持續成長，然DDR4供給缺口仍難以填補，即使新增產能開出仍無法完全滿足市場需求，使價格維持高檔；同時SLC NAND與NOR Flash受供給收斂與應用需求提升，需求主要由AI Server、傳統Server及Edge應用推動，價格持續上行；CUBE架構具備高頻寬與低功耗優勢，頻寬可對標HBM且功耗僅約20%，於Inference與Edge Server市場滲透，有望成為新成長動能。但毛利率留意台中與高雄廠擴產後設備折舊開始認列而造成稀釋。