【財訊快報／陳孟朔】中國記憶體廠長鑫科技(688825.SH)週一晚間公告，擬投資人民幣241億元(下同)興建技術研發項目，另投資108億元建設記憶體晶圓後段測試基地二期，兩項計畫總額達349億元。公司董事會已通過相關議案，後續仍須提交股東會審議。

其中，241億元的研發項目設於安徽合肥的12吋記憶體晶圓製造基地，規劃建設期30個月，擬動用首次公開發行股票取得的超額募集資金130億元。依公司公告，項目支出以設備購置為主，金額約223.98億元；研發成果預期用於推動產品與製程升級，公司未對該項目單獨估算投資回報。

另一項後段測試基地二期由全資子公司執行，規劃投資108億元，其中50億元來自超額募集資金，建設期為37個月。新廠將提供DRAM晶片測試及模組組裝。長鑫科技表示，自建測試產能有助因應晶圓產能與產品種類增加，減少後段測試成為供應瓶頸的可能。