【時報-台北電】大陸DRAM大廠長鑫存儲傳出進軍NAND快閃記憶體市場，計劃在北京新廠建立研發產線，已與潛在客戶接洽。此舉意味長鑫將與大陸NAND龍頭長江存儲直接交鋒，甚至與三星等國際大廠競爭。

　陸媒分析，長鑫跨足NAND雖有望擴大產品線、降低對單一DRAM市場的依賴，但何時量產、產品良率及能否具備長期競爭力都是未知數，因此市場仍需觀望。

　長鑫存儲與長江存儲素來有大陸記憶體業「雙子星」之稱，兩家公司過去分別主攻DRAM與NAND，形成各自深耕的市場分工。如今長鑫準備跨足NAND，而長江存儲今年4月傳出已將低功耗DRAM樣品送交客戶評估，讓雙方原本清楚的業務界線開始交叉。

　路透引述3名知情人士提到，長鑫計畫在北京新廠建立NAND研發產線，目前已與客戶討論相關計畫，包括一家有意向其採購NAND晶片的新創公司。

　不過消息指出，目前還不清楚長鑫存儲的產線何時投產，也無法確定長鑫是否能從研發、試產，進一步走向大規模商業量產。

　長鑫此時進軍NAND，正值全球市場供應吃緊之際，陸媒指出，若公司能從這一波供應缺口切入，確實存在擴大客戶與營收來源的機會，不過做出產品只是起點，真正的考驗是能否持續迭代、降低製造成本，並且通過客戶驗證。

　換言之，長鑫此次布局能否成功，不能只看是否建立NAND產線，而要看後續能否從研發跨過試產，最終形成穩定且具成本競爭力的商業量產。

　另據���媒報導，長鑫也正與阿里巴巴旗下平頭哥等晶片設計企業測試HBM3E產品，相關產品最快可能於2027年推出。陸媒分析認為，長鑫若同時布局DRAM、HBM及NAND，未來可以從單一記憶體供應商走向更完整的產品布局，並為AI算力市場提供更多國產記憶體選項。

　陸財經界分析，長鑫真正需要觀察的是能否把目前DRAM景氣上行帶來的資金與產能優勢，轉化為第二項穩定獲利的產品，若NAND正式放量時，全球供應緊張已經緩解，或新產線良率、成本及客戶認證未達預期，擴產投資反而可能變成沉重的折舊與固定成本。(新聞來源 : 工商時報一高陸／綜合報導)