【時報-台北電】大陸記憶體晶片大廠長鑫科技28日晚間公告，董事會審查通過兩大全新投資案，總投資金額達人民幣（下同）349億元。這次投資聚焦在技術研發及記憶體晶圓後段測試，預計動用上市超額募集的180億元資金，加速擴充產能並推動製程升級。

　陸媒紅星資本局報導，長鑫科技先前在A股IPO實際募資淨額為663.1億元，大幅超過原先設定的295億元目標，超募資金約368億元。這次拍板的兩大項目合計使用180億元超募資金，其餘約188億元的資金用途，則留待後續進一步揭露。

　這筆高達349億元的投資核心在技術研發項目，單項投資金額就占241億元，其中130億元由超募資金直接支應。長鑫科技表示，推進產品與製程技術更新升級是公司長期發展的基礎，必須依靠持續投入研發帶動製程世代演進，進一步提升新產品的儲存密度、降低功耗並強化讀寫表現。

　另一項投資則將耗資108億元打造記憶體晶圓後段測試基地二期項目，長鑫科技將透過增資及借款方式，向全資子公司長鑫存儲產品（合肥）有限公司注入50億元超募資金。長鑫科技指出，測試是DRAM生產不可或缺的一環，自建測試產能可避免委外測試產能不足而形成瓶頸，同時能降低DRAM晶片測試成本，進一步完善垂直整合製造（IDM）模式。

　受惠於記憶體晶片需求成長，長鑫科技業績改善，足以支持大規模投資。該公司2025年全年營收達617.99億元，淨利為18.75億元。2026年第��季營收更衝上508億元，年增719％，淨利則達到247.62億元。長鑫科技大動作擴產，背後正是為因應全球記憶體晶片超級週期。市調機構IDC預測，2026年全球DRAM供應量年增僅16％，但需求成長率達45％，缺口預計延續至2027上半年。

　長鑫科技的兩大投資案，預期在半導體產業鏈引發連鎖效應。中信證券分析，長鑫科技上市後加速擴產，設備國產化率有望逐步提升。中信建投也認為，隨著記憶體產能擴張，國產設備、零組件、材料將同步受惠。(新聞來源 : 工商時報一蘇崇愷／綜合報導)