【時報-台北電】長鑫存儲總裁曹堪宇近日宣布，預計年底將推出融合4F2架構與混合鍵合等先進技術的新一代DDR5 RDIMM產品。

　陸媒分析指出，這款針對伺服器市場的產品，須通過數百項嚴苛兼容性測試，但落地後將帶動本土記憶體供應鏈協同升級。

　綜合陸媒10日報導，4F2架構是DRAM領域公認的下一代技術方向。目前行業主流為6F2架構，每個存儲單元占6倍最小特徵尺寸的平方。而4F2代表單元面積壓縮至4倍最小特徵尺寸的平方，同面積存儲密度可提升30％至50％。

　報導表示，從6F2到4F2的跨越，本質是電晶體溝道從水平布局向垂直布局的根本性變革，6F2時代的設計和工藝流程無法完全複用，需要整合全新工藝體系。

　曹堪宇介紹，長鑫自成立以來就啟動4F2的研究與專利研發，公開專利族超過300件，數量領先海內外廠商。

　報導指出，長鑫在2021年發表大陸首篇4F2架構相關論文，並在2023年、2025年的兩篇論文中分享研發進展。從專利數據看，長鑫在4F2架構上的技術累計已具備與國際巨頭同台競技的實力。

　報導還表示，將4F2架構首代產品定為DDR5 RDIMM，代表長鑫選擇一條最為艱難的落地路徑。與消費級記憶體不同，DDR5 RDIMM面向伺服器市場，必須支持「7×24」小時不間斷運行，能承受帶電熱插拔的電壓衝擊，並與不同廠商、不同代際的CPU和主機板完成數百項嚴苛相容性測試。

　報導形容，消費級記憶體追求「跑得快」，伺服器級RDIMM追求的是「一直跑、不出錯、在哪裡都能跑」。長鑫選擇以伺服器記憶體作為首代產品，直指行業最高技術壁壘。(新聞來源 : 工商時報一賴瑩綺／綜合報導)